ТРАНЗИСТОРИ Сингапур - страница 6
Филтри
346 Продукта
По уместност
Подреди по:
транзистор
Изчисти
напрежение (V)
Изчисти
ток (A)
Изчисти
монтаж
Изчисти
корпус
Изчисти
бързодействие (nS)
Изчисти
интегриран диод
Изчисти
Избрани филтри:
Производител:
Сингапур
Детайли
Бърз преглед
MJE340 KSE340
Арт.№: 13585- транзистор: NPN
- напрежение (V): 300
- ток (A): 0.5
- монтаж: DIP
- корпус: TO126
Детайли
Бърз преглед
IGBT HGTG20N120CND
Арт.№: 11977- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 1200
- ток (A): 63
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
Детайли
Бърз преглед
STP11N80C3
Арт.№: 11852- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 800
- ток (A): 11
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
Детайли
Бърз преглед
STW20NK50Z
Арт.№: 11725- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 500
- ток (A): 16
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
Детайли
Бърз преглед
SPP20N60S5
Арт.№: 11724- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 600
- ток (A): 20
- монтаж: DIP
- корпус: TO220
Детайли
Бърз преглед
FDS4935 SMD
Арт.№: 11575- транзистор: P+P-FET
- напрежение (V): 30
- ток (A): 7
- монтаж: SMD
- корпус: SO8
Детайли
Бърз преглед
STP13NK80ZFP
Арт.№: 11540- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 800
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
Детайли
Бърз преглед
BU2527DX PHILIPS
Арт.№: 11514- транзистор: NPN
- напрежение (V): 1500
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO3PF
Детайли
Бърз преглед
IGBT IHW20N120R2/H20R1202
Арт.№: 10934- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 1200
- ток (A): 40
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
Детайли
Бърз преглед
IRGP50B60PD1
Арт.№: 10770- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 600
- ток (A): 75
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
Детайли
Бърз преглед
FDS6984S SMD
Арт.№: 10682- транзистор: N+N-FET
- напрежение (V): 30
- ток (A): 8.5
- монтаж: SMD
- корпус: SO8
Детайли
Бърз преглед
IRFR9120 SMD
Арт.№: 10635- транзистор: P-FET
- напрежение (V): 100
- ток (A): 5.6
- монтаж: SMD
- корпус: TO252
Детайли
Бърз преглед
BU808DFH TO220
Арт.№: 10594- транзистор: дарлингтон N
- напрежение (V): 1400
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
Детайли
Бърз преглед
FDS8958A SMD
Арт.№: 9875- транзистор: N+P-FET
- напрежение (V): 30
- ток (A): 7
- монтаж: SMD
- корпус: SO8
