ТРАНЗИСТОРИ Сингапур - страница 6
Филтри
347 Продукта
По уместност
Подреди по:
транзистор
Изчисти
напрежение (V)
Изчисти
ток (A)
Изчисти
монтаж
Изчисти
корпус
Изчисти
бързодействие (nS)
Изчисти
интегриран диод
Изчисти
Избрани филтри:
Производител:
Сингапур
![IGBT HGTG20N120CND](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/igbt-hgtg20n120cnd.jpg)
IGBT HGTG20N120CND
Арт.№: 11977- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 1200
- ток (A): 63
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
![STP11N80C3](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/stp11n80c3.jpg)
STP11N80C3
Арт.№: 11852- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 800
- ток (A): 11
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
![STW20NK50Z](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/stw20nk50z.jpg)
STW20NK50Z
Арт.№: 11725- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 500
- ток (A): 16
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
![SPP20N60S5](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/spp20n60s5.jpg)
SPP20N60S5
Арт.№: 11724- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 600
- ток (A): 20
- монтаж: DIP
- корпус: TO220
![FDS4935 SMD](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/fds4935-smd.jpg)
FDS4935 SMD
Арт.№: 11575- транзистор: P+P-FET
- напрежение (V): 30
- ток (A): 7
- монтаж: SMD
- корпус: SO8
![STP13NK80ZFP](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/stp13nk80zfp.jpg)
STP13NK80ZFP
Арт.№: 11540- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 800
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
![BU2527DX PHILIPS](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/bu2527dx-philips.jpg)
BU2527DX PHILIPS
Арт.№: 11514- транзистор: NPN
- напрежение (V): 1500
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO3PF
![IGBT IHW20N120R2/H20R1202](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/igbt-ihw20n120r2-h20r1202.jpg)
IGBT IHW20N120R2/H20R1202
Арт.№: 10934- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 1200
- ток (A): 40
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
![IRGP50B60PD1](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/irgp50b60pd1.jpg)
IRGP50B60PD1
Арт.№: 10770- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 600
- ток (A): 75
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
![FDS6984S SMD](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/fds6984s-smd.jpg)
FDS6984S SMD
Арт.№: 10682- транзистор: N+N-FET
- напрежение (V): 30
- ток (A): 8.5
- монтаж: SMD
- корпус: SO8
![IRFR9120 SMD](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/irfr9120-smd.jpg)
IRFR9120 SMD
Арт.№: 10635- транзистор: P-FET
- напрежение (V): 100
- ток (A): 5.6
- монтаж: SMD
- корпус: TO252
![BU808DFH TO220](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/BU808DFH-TO220.jpg)
BU808DFH TO220
Арт.№: 10594- транзистор: дарлингтон N
- напрежение (V): 1400
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F