ЗА ВАС ТЕХНИЦИ Сингапур - страница 20
Филтри
1262 Продукта
По уместност
Подреди по:
транзистор
Изчисти
вид
Изчисти
продукт
Изчисти
тип елемент
Изчисти
диод тип
Изчисти
капацитет
Изчисти
напрежение (V)
Изчисти
ток (A)
Изчисти
марка
Изчисти
стойност
Изчисти
Мощност
Изчисти
тип
Изчисти
монтаж
Изчисти
брой пинове
Изчисти
корпус
Изчисти
бързодействие (nS)
Изчисти
интегриран диод
Изчисти
цвят
Изчисти
кондензатор
Изчисти
характеристика
Изчисти
диаметър на остта
Изчисти
предназначение
Изчисти
Избрани филтри:
Производител:
Сингапур
![50WQ10FN ШОТКИ](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/50wq10fn.jpg)
50WQ10FN ШОТКИ
Арт.№: 12937- диод тип: шотки
- напрежение (V): 100
- ток (A): 5.5
- монтаж: SMD
![ТЕРМО ДАТЧИК 10К ТЕРМИСТОР PTC](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/termodatchik-10kom.jpg)
ТЕРМО ДАТЧИК 10К ТЕРМИСТОР PTC
Арт.№: 12922- вид: терморезистор
- стойност: 10kΩ
- Мощност: 0.5W
- монтаж: DIP
![C 470P/50V](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/c-470pf-50v.jpg)
C 470P/50V
Арт.№: 12920- капацитет: 470pF
- напрежение (V): 50
- монтаж: DIP
- кондензатор: не електролитни
- предназначение: електронна апаратура
![C 10000U/80V](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/c-10000u-80v.jpg)
C 10000U/80V
Арт.№: 12265- капацитет: 10000uF
- напрежение (V): 80
- монтаж: DIP
- кондензатор: електролитни
- предназначение: електронна апаратура
![IGBT HGTG20N120CND](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/igbt-hgtg20n120cnd.jpg)
IGBT HGTG20N120CND
Арт.№: 11977- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 1200
- ток (A): 63
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
![STP11N80C3](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/stp11n80c3.jpg)
STP11N80C3
Арт.№: 11852- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 800
- ток (A): 11
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
![STW20NK50Z](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/stw20nk50z.jpg)
STW20NK50Z
Арт.№: 11725- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 500
- ток (A): 16
- монтаж: DIP
- корпус: TO247
![SPP20N60S5](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/spp20n60s5.jpg)
SPP20N60S5
Арт.№: 11724- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 600
- ток (A): 20
- монтаж: DIP
- корпус: TO220
![FDS4935 SMD](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/fds4935-smd.jpg)
FDS4935 SMD
Арт.№: 11575- транзистор: P+P-FET
- напрежение (V): 30
- ток (A): 7
- монтаж: SMD
- корпус: SO8
![STP13NK80ZFP](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/stp13nk80zfp.jpg)
STP13NK80ZFP
Арт.№: 11540- транзистор: N-FET
- напрежение (V): 800
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO220F
![BU2527DX PHILIPS](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/bu2527dx-philips.jpg)
BU2527DX PHILIPS
Арт.№: 11514- транзистор: NPN
- напрежение (V): 1500
- ток (A): 12
- монтаж: DIP
- корпус: TO3PF
![IGBT IHW20N120R2/H20R1202](https://static.hit-electronics.com/thumbs/1/igbt-ihw20n120r2-h20r1202.jpg)
IGBT IHW20N120R2/H20R1202
Арт.№: 10934- транзистор: IGBT
- напрежение (V): 1200
- ток (A): 40
- монтаж: DIP
- корпус: TO247